Substrate Partitioning Scheme for Compact Charge Modeling of Multigate MOSFETs
A modeling approach for the charge-voltage characteristics of multigate metal-oxide-semiconductor field-effect transistors with complicated cross sections is proposed. Using solutions of linear equations, the substrate region is partitioned into several 1-D MOS structures and the coupling capacitanc...
சேமிக்கப்பட்டது:
| முதன்மை ஆசிரியர்கள்: | , |
|---|---|
| வடிவம்: | Artigo |
| மொழி: | Inglês |
| வெளியிடப்பட்டது: |
IEEE
2017-01-01
|
| தொடர்: | IEEE Journal of the Electron Devices Society |
| பொருள்கள்: | |
| ஆன்லைன் அணுகல்: | https://ieeexplore.ieee.org/document/7880655/ |
| குறிச்சொற்கள்: |
டாக்ஸ் இல்லை, இந்த பதிவுக்கு குறிச்சொல் சேர்க்கும் முதல் நபராக இருங்கள்!
|