Substrate Partitioning Scheme for Compact Charge Modeling of Multigate MOSFETs
A modeling approach for the charge-voltage characteristics of multigate metal-oxide-semiconductor field-effect transistors with complicated cross sections is proposed. Using solutions of linear equations, the substrate region is partitioned into several 1-D MOS structures and the coupling capacitanc...
محفوظ في:
| المؤلفون الرئيسيون: | , |
|---|---|
| التنسيق: | Artigo |
| اللغة: | Inglês |
| منشور في: |
IEEE
2017-01-01
|
| سلاسل: | IEEE Journal of the Electron Devices Society |
| الموضوعات: | |
| الوصول للمادة أونلاين: | https://ieeexplore.ieee.org/document/7880655/ |
| الوسوم: |
لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!
|