Substrate Partitioning Scheme for Compact Charge Modeling of Multigate MOSFETs
A modeling approach for the charge-voltage characteristics of multigate metal-oxide-semiconductor field-effect transistors with complicated cross sections is proposed. Using solutions of linear equations, the substrate region is partitioned into several 1-D MOS structures and the coupling capacitanc...
Պահպանված է:
| Հիմնական հեղինակներ: | , |
|---|---|
| Ձևաչափ: | Artigo |
| Լեզու: | Inglês |
| Հրապարակվել է: |
IEEE
2017-01-01
|
| Շարք: | IEEE Journal of the Electron Devices Society |
| Խորագրեր: | |
| Առցանց հասանելիություն: | https://ieeexplore.ieee.org/document/7880655/ |
| Ցուցիչներ: |
Չկան պիտակներ, Եղեք առաջինը, ով նշում է այս գրառումը!
|