Substrate Partitioning Scheme for Compact Charge Modeling of Multigate MOSFETs
A modeling approach for the charge-voltage characteristics of multigate metal-oxide-semiconductor field-effect transistors with complicated cross sections is proposed. Using solutions of linear equations, the substrate region is partitioned into several 1-D MOS structures and the coupling capacitanc...
সংরক্ষণ করুন:
| প্রধান লেখক: | , |
|---|---|
| বিন্যাস: | Artigo |
| ভাষা: | Inglês |
| প্রকাশিত: |
IEEE
2017-01-01
|
| মালা: | IEEE Journal of the Electron Devices Society |
| বিষয়গুলি: | |
| অনলাইন ব্যবহার করুন: | https://ieeexplore.ieee.org/document/7880655/ |
| ট্যাগগুলো: |
কোনো ট্যাগ নেই, প্রথমজন হিসাবে ট্যাগ করুন!
|