تحميل...
Superconformal Bottom-Up Cobalt Deposition in High Aspect Ratio Through Silicon Vias
This work demonstrates void-free cobalt filling of 56 μm tall, annular Through Silicon Vias (TSVs) using a mechanism that couples suppression breakdown and surface topography to achieve controlled bottom-up deposition. The chemistry, a Watts electrolyte containing a dilute suppressing additive, and...
محفوظ في:
| الحاوية / القاعدة: | ECS Trans |
|---|---|
| المؤلفون الرئيسيون: | , , |
| التنسيق: | Artigo |
| اللغة: | Inglês |
| منشور في: |
2016
|
| الموضوعات: | |
| الوصول للمادة أونلاين: | https://ncbi.nlm.nih.gov/pmc/articles/PMC5500869/ https://ncbi.nlm.nih.gov/pubmed/28690759 https://ncbi.nlm.nih.govhttp://dx.doi.org/10.1149/07502.0025ecst |
| الوسوم: |
إضافة وسم
لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!
|