LWIR Lateral Effect Position Sensitive HgCdTe Photodetector at 205 K

We describe in detail the construction and characterization of a Peltier-cooled long-wavelength infrared (LWIR) position-sensitive detector (PSD) based on the lateral effect. The device was recently reported for the first time to the authors’ knowledge. It is a modified PIN HgCdTe photodiode, formin...

תיאור מלא

מידע ביבליוגרפי

Principais autores:	Jarosław Pawluczyk, Mateusz Żbik, Józef Piotrowski
פורמט:	Artigo
שפה:	Inglês
יצא לאור:	MDPI AG 2023-05-01
סדרה:	Sensors
נושאים:	LWIR HgCdTe PSD position-sensing detector photodetector lateral effect
גישה מקוונת:	https://www.mdpi.com/1424-8220/23/10/4915
תגים:	הוספת תג אין תגיות, היה/י הראשונ/ה לתייג את הרשומה!