LWIR Lateral Effect Position Sensitive HgCdTe Photodetector at 205 K
We describe in detail the construction and characterization of a Peltier-cooled long-wavelength infrared (LWIR) position-sensitive detector (PSD) based on the lateral effect. The device was recently reported for the first time to the authors’ knowledge. It is a modified PIN HgCdTe photodiode, formin...
சேமிக்கப்பட்டது:
| முதன்மை ஆசிரியர்கள்: | , , |
|---|---|
| வடிவம்: | Artigo |
| மொழி: | Inglês |
| வெளியிடப்பட்டது: |
MDPI AG
2023-05-01
|
| தொடர்: | Sensors |
| பொருள்கள்: | |
| ஆன்லைன் அணுகல்: | https://www.mdpi.com/1424-8220/23/10/4915 |
| குறிச்சொற்கள்: |
டாக்ஸ் இல்லை, இந்த பதிவுக்கு குறிச்சொல் சேர்க்கும் முதல் நபராக இருங்கள்!
|