LWIR Lateral Effect Position Sensitive HgCdTe Photodetector at 205 K

We describe in detail the construction and characterization of a Peltier-cooled long-wavelength infrared (LWIR) position-sensitive detector (PSD) based on the lateral effect. The device was recently reported for the first time to the authors’ knowledge. It is a modified PIN HgCdTe photodiode, formin...

وصف كامل

التفاصيل البيبلوغرافية

المؤلفون الرئيسيون:	Jarosław Pawluczyk, Mateusz Żbik, Józef Piotrowski
التنسيق:	Artigo
اللغة:	Inglês
منشور في:	MDPI AG 2023-05-01
سلاسل:	Sensors
الموضوعات:	LWIR HgCdTe PSD position-sensing detector photodetector lateral effect
الوصول للمادة أونلاين:	https://www.mdpi.com/1424-8220/23/10/4915
الوسوم:	إضافة وسم لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!