Current Conduction Mechanisms in n-type a-SiGe:H/p-type c-Si Heterojunctions

n-type a-SiGe:H/p-type c-Si heterojunctions, fabricated with two different base doping concentrations (7×1017 and 5×1018 cm-3) and two thicknesses (37 and 200 nm) for the n-type a-SiGe:H film, were electrically characterized. The current transport mechanisms were determined by analyzing the temperat...

Celý popis

Podrobná bibliografie

Vydáno v:	Superficies y vacío
Hlavní autoři:	P. Rosales-Quintero, A. Torres-Jacome, F. J. De la Hidalga-Wade, C. Zúñiga-Islas, W. Calleja-Arriaga, C. Reyes-Betanzo
Médium:	Artigo
Jazyk:	Inglês
Vydáno:	Sociedad Mexicana de Ciencia y Tecnología de Superficies y Materiales A.C. 2008
Témata:	Física, Astronomía y Matemáticas
On-line přístup:	https://www.redalyc.org/articulo.oa?id=94215160001
Tagy:	Přidat tag Žádné tagy, Buďte první, kdo vytvoří štítek k tomuto záznamu!