Challenges in modulation doping of n-type Ge/SiGe heterostructures: The role of epitaxial and thermal strain

N-type Ge-rich Ge/SiGe multi-quantum-wells on Si(001) substrates are a novel material system with great potential due to their compatibility with the CMOS standard. This class of strained quantum heterostructures exhibits different band edge minima in a narrow energy range. Thus, lattice deformation...

Полное описание

Библиографические подробности

Главные авторы:	E. Campagna, E. Talamas Simola, L. Di Gaspare, D. Marian, M. H. Zoellner, F. Berkmann, L. Baldassarre, M. Ortolani, G. Capellini, M. Virgilio, M. De Seta
Формат:	Artigo
Язык:	Inglês
Опубликовано:	AIP Publishing LLC 2025-06-01
Серии:	APL Materials
Online-ссылка:	http://dx.doi.org/10.1063/5.0259848
Метки:	Добавить метку Нет меток, Требуется 1-ая метка записи!