Current Conduction Mechanisms in n-type a-SiGe:H/p-type c-Si Heterojunctions
n-type a-SiGe:H/p-type c-Si heterojunctions, fabricated with two different base doping concentrations (7×1017 and 5×1018 cm-3) and two thicknesses (37 and 200 nm) for the n-type a-SiGe:H film, were electrically characterized. The current transport mechanisms were determined by analyzing the temperat...
Đã lưu trong:
| Xuất bản năm: | Superficies y vacío |
|---|---|
| Những tác giả chính: | , , , , , |
| Định dạng: | Artigo |
| Ngôn ngữ: | Inglês |
| Được phát hành: |
Sociedad Mexicana de Ciencia y Tecnología de Superficies y Materiales A.C.
2008
|
| Những chủ đề: | |
| Truy cập trực tuyến: | https://www.redalyc.org/articulo.oa?id=94215160001 |
| Các nhãn: |
Không có thẻ, Là người đầu tiên thẻ bản ghi này!
|