تحميل...
New device applications of SiGe heterostructures
SiGe heterostructure bipolar transistors are well developed and some of them are now commercially available, whilemany efforts are being paid on field-effect transistors. Extremely high mobility is demonstrated both for n- and p-channeltransistors, which is brought by strain effects, and new devices...
محفوظ في:
| الحاوية / القاعدة: | Superficies y vacío |
|---|---|
| المؤلف الرئيسي: | |
| التنسيق: | Artigo |
| اللغة: | Inglês |
| منشور في: |
Sociedad Mexicana de Ciencia y Tecnología de Superficies y Materiales A.C.
2003
|
| الموضوعات: | |
| الوصول للمادة أونلاين: | https://www.redalyc.org/articulo.oa?id=94216401 |
| الوسوم: |
إضافة وسم
لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!
|