Simulación de curvas C-V y C-t para la caracterización eléctrica de dispositivos MIS
En este trabajo se presenta el desarrollo de programas en MathCad para determinar parámetros en estructuras metalaislante-semiconductor (MIS), como son: la concentración de impurezas en el semiconductor, la constante dieléctrica delaislante, la carga en el aislante, la densidad de estados superficia...
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| Publicado en: | Superficies y vacío |
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| Autores principales: | , , , |
| Formato: | Artigo |
| Lenguaje: | Espanhol |
| Publicado: |
Sociedad Mexicana de Ciencia y Tecnología de Superficies y Materiales A.C.
2002
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| Materias: | |
| Acceso en línea: | https://www.redalyc.org/articulo.oa?id=94201512 |
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