Fabricación y caracterización de inductores sobre silicio
En este artículo presentamos el diseño, la fabricación y caracterización de inductores pasivos sobre substratos de silicio.Estos inductores fueron fabricados utilizando una tecnología CMOS de 10mm de dimensión mínima, usando dos capas dealuminio, y SiO2 como dieléctrico internivel. Se diseñaron, fab...
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| Publicado no: | Superficies y vacío |
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| Principais autores: | , , , , , |
| Formato: | Artigo |
| Idioma: | Espanhol |
| Publicado em: |
Sociedad Mexicana de Ciencia y Tecnología de Superficies y Materiales A.C.
2001
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| Assuntos: | |
| Acesso em linha: | https://www.redalyc.org/articulo.oa?id=94201311 |
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