Óxido de silicio SOG como dieléctrico de compuerta recocido a 200°C

En este trabajo, se ha realizado la caracterización del oxido de silicio SOG (SOG-SiO2) depositado por la técnica sol-gel y recocido a 200 °C. Los resultados de la caracterización óptica y eléctrica muestran que los valores del índice de refracción (n) y de la constante dieléctrica (k) son muy cerca...

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Julkaisussa:	Superficies y vacío
Päätekijät:	M. A. Domínguez-J., P. Rosales-Q., A. Torres-J., J. Molina-R., M. Moreno-M., C. Zúñiga-I., W. Calleja-A, Felipe Coyotl-M.
Aineistotyyppi:	Artigo
Kieli:	Espanhol
Julkaistu:	Sociedad Mexicana de Ciencia y Tecnología de Superficies y Materiales A.C. 2011
Aiheet:	Física, Astronomía y Matemáticas
Linkit:	https://www.redalyc.org/articulo.oa?id=94218546001
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