Óxido de silicio SOG como dieléctrico de compuerta recocido a 200°C

En este trabajo, se ha realizado la caracterización del oxido de silicio SOG (SOG-SiO2) depositado por la técnica sol-gel y recocido a 200 °C. Los resultados de la caracterización óptica y eléctrica muestran que los valores del índice de refracción (n) y de la constante dieléctrica (k) son muy cerca...

Бүрэн тодорхойлолт

Номзүйн дэлгэрэнгүй

-д хэвлэсэн:	Superficies y vacío
Үндсэн зохиолчид:	M. A. Domínguez-J., P. Rosales-Q., A. Torres-J., J. Molina-R., M. Moreno-M., C. Zúñiga-I., W. Calleja-A, Felipe Coyotl-M.
Формат:	Artigo
Хэл сонгох:	Espanhol
Хэвлэсэн:	Sociedad Mexicana de Ciencia y Tecnología de Superficies y Materiales A.C. 2011
Нөхцлүүд:	Física, Astronomía y Matemáticas
Онлайн хандалт:	https://www.redalyc.org/articulo.oa?id=94218546001
Шошгууд:	Шошго нэмэх Шошго байхгүй, Энэхүү баримтыг шошголох эхний хүн болох!