Óxido de silicio SOG como dieléctrico de compuerta recocido a 200°C
En este trabajo, se ha realizado la caracterización del oxido de silicio SOG (SOG-SiO2) depositado por la técnica sol-gel y recocido a 200 °C. Los resultados de la caracterización óptica y eléctrica muestran que los valores del índice de refracción (n) y de la constante dieléctrica (k) son muy cerca...
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| Veröffentlicht in: | Superficies y vacío |
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| Hauptverfasser: | , , , , , , , |
| Format: | Artigo |
| Sprache: | Espanhol |
| Veröffentlicht: |
Sociedad Mexicana de Ciencia y Tecnología de Superficies y Materiales A.C.
2011
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| Schlagworte: | |
| Online-Zugang: | https://www.redalyc.org/articulo.oa?id=94218546001 |
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