Fabricación y caracterización de inductores sobre silicio
En este artículo presentamos el diseño, la fabricación y caracterización de inductores pasivos sobre substratos de silicio.Estos inductores fueron fabricados utilizando una tecnología CMOS de 10mm de dimensión mínima, usando dos capas dealuminio, y SiO2 como dieléctrico internivel. Se diseñaron, fab...
محفوظ في:
| الحاوية / القاعدة: | Superficies y vacío |
|---|---|
| المؤلفون الرئيسيون: | , , , , , |
| التنسيق: | Artigo |
| اللغة: | Espanhol |
| منشور في: |
Sociedad Mexicana de Ciencia y Tecnología de Superficies y Materiales A.C.
2001
|
| الموضوعات: | |
| الوصول للمادة أونلاين: | https://www.redalyc.org/articulo.oa?id=94201311 |
| الوسوم: |
لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!
|