Fabricación y caracterización de inductores sobre silicio
En este artículo presentamos el diseño, la fabricación y caracterización de inductores pasivos sobre substratos de silicio.Estos inductores fueron fabricados utilizando una tecnología CMOS de 10mm de dimensión mínima, usando dos capas dealuminio, y SiO2 como dieléctrico internivel. Se diseñaron, fab...
保存先:
| 出版年: | Superficies y vacío |
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| 主要な著者: | , , , , , |
| フォーマット: | Artigo |
| 言語: | Espanhol |
| 出版事項: |
Sociedad Mexicana de Ciencia y Tecnología de Superficies y Materiales A.C.
2001
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| 主題: | |
| オンライン･アクセス: | https://www.redalyc.org/articulo.oa?id=94201311 |
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