Fabricación y caracterización de inductores sobre silicio
En este artículo presentamos el diseño, la fabricación y caracterización de inductores pasivos sobre substratos de silicio.Estos inductores fueron fabricados utilizando una tecnología CMOS de 10mm de dimensión mínima, usando dos capas dealuminio, y SiO2 como dieléctrico internivel. Se diseñaron, fab...
Enregistré dans:
| Publié dans: | Superficies y vacío |
|---|---|
| Auteurs principaux: | , , , , , |
| Format: | Artigo |
| Langue: | Espanhol |
| Publié: |
Sociedad Mexicana de Ciencia y Tecnología de Superficies y Materiales A.C.
2001
|
| Sujets: | |
| Accès en ligne: | https://www.redalyc.org/articulo.oa?id=94201311 |
| Tags: |
Pas de tags, Soyez le premier à ajouter un tag!
|