Simulación de curvas C-V y C-t para la caracterización eléctrica de dispositivos MIS
En este trabajo se presenta el desarrollo de programas en MathCad para determinar parámetros en estructuras metalaislante-semiconductor (MIS), como son: la concentración de impurezas en el semiconductor, la constante dieléctrica delaislante, la carga en el aislante, la densidad de estados superficia...
Bewaard in:
| Gepubliceerd in: | Superficies y vacío |
|---|---|
| Hoofdauteurs: | , , , |
| Formaat: | Artigo |
| Taal: | Espanhol |
| Gepubliceerd in: |
Sociedad Mexicana de Ciencia y Tecnología de Superficies y Materiales A.C.
2002
|
| Onderwerpen: | |
| Online toegang: | https://www.redalyc.org/articulo.oa?id=94201512 |
| Tags: |
Geen labels, Wees de eerste die dit record labelt!
|