Estudio de las propiedades eléctricas de películas de óxido de silicio crecidas térmicamente en ambiente de óxido nitroso

En este trabajo se presenta un estudio de las propiedades dieléctricas de óxido de silicio nitridado (SiO2:N) y en la interfazsilicio / SiO2:N. Las capas dieléctricas de SiO2:N se depositaron térmicamente en un ambiente de óxido nitroso (N2O),variando la presión y temperatura en un rango de 1 a 3 at...

Ausführliche Beschreibung

Bibliografische Detailangaben

Veröffentlicht in:	Superficies y vacío
Hauptverfasser:	Arturo Morales Acevedo, Jesús Carrillo López, Adán Luna Flores
Format:	Artigo
Sprache:	Espanhol
Veröffentlicht:	Sociedad Mexicana de Ciencia y Tecnología de Superficies y Materiales A.C. 2003
Schlagworte:	Física, Astronomía y Matemáticas
Online-Zugang:	https://www.redalyc.org/articulo.oa?id=94216304
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