Estudio de las propiedades eléctricas de películas de óxido de silicio crecidas térmicamente en ambiente de óxido nitroso

En este trabajo se presenta un estudio de las propiedades dieléctricas de óxido de silicio nitridado (SiO2:N) y en la interfazsilicio / SiO2:N. Las capas dieléctricas de SiO2:N se depositaron térmicamente en un ambiente de óxido nitroso (N2O),variando la presión y temperatura en un rango de 1 a 3 at...

Fuld beskrivelse

Bibliografiske detaljer

Udgivet i:	Superficies y vacío
Principais autores:	Arturo Morales Acevedo, Jesús Carrillo López, Adán Luna Flores
Format:	Artigo
Sprog:	Espanhol
Udgivet:	Sociedad Mexicana de Ciencia y Tecnología de Superficies y Materiales A.C. 2003
Fag:	Física, Astronomía y Matemáticas
Online adgang:	https://www.redalyc.org/articulo.oa?id=94216304
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