One step a-Si:H TFT’S with PECVD SiOx Ny gate insulator
Amorphous silicon thin film transistors (TFT's), utilizing silicon dioxide (SiO2), silicon oxynitride (SiOxNy) and silicon nitride (Si3N4) obtained by PECVD as gate insulating material, are fabricated through just one masking process and characterized by drain current vs drain voltage and by drain c...
שמור ב:
| הוצא לאור ב: | Revista Mexicana de Física |
|---|---|
| Principais autores: | , |
| פורמט: | Artigo |
| שפה: | Inglês |
| יצא לאור: |
Sociedad Mexicana de Física A.C.
2006
|
| נושאים: | |
| גישה מקוונת: | https://www.redalyc.org/articulo.oa?id=57028295025 |
| תגים: |
אין תגיות, היה/י הראשונ/ה לתייג את הרשומה!
|