Estudio de las propiedades eléctricas de películas de óxido de silicio crecidas térmicamente en ambiente de óxido nitroso
En este trabajo se presenta un estudio de las propiedades dieléctricas de óxido de silicio nitridado (SiO2:N) y en la interfazsilicio / SiO2:N. Las capas dieléctricas de SiO2:N se depositaron térmicamente en un ambiente de óxido nitroso (N2O),variando la presión y temperatura en un rango de 1 a 3 at...
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| Publicado no: | Superficies y vacío |
|---|---|
| Principais autores: | , , |
| Formato: | Artigo |
| Idioma: | Espanhol |
| Publicado em: |
Sociedad Mexicana de Ciencia y Tecnología de Superficies y Materiales A.C.
2003
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| Assuntos: | |
| Acesso em linha: | https://www.redalyc.org/articulo.oa?id=94216304 |
| Tags: |
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