Simulación de curvas C-V y C-t para la caracterización eléctrica de dispositivos MIS

En este trabajo se presenta el desarrollo de programas en MathCad para determinar parámetros en estructuras metalaislante-semiconductor (MIS), como son: la concentración de impurezas en el semiconductor, la constante dieléctrica delaislante, la carga en el aislante, la densidad de estados superficia...

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Bibliografiske detaljer

Udgivet i:	Superficies y vacío
Principais autores:	Jesús Carrillo López, Adán Luna Flores, G. Francisco Pérez Sánchez, Arturo Morales Acevedo
Format:	Artigo
Sprog:	Espanhol
Udgivet:	Sociedad Mexicana de Ciencia y Tecnología de Superficies y Materiales A.C. 2002
Fag:	Física, Astronomía y Matemáticas
Online adgang:	https://www.redalyc.org/articulo.oa?id=94201512
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