Caracterización por espectroscopía en el infrarrojo de óxidos de silicio depositados en ambiente de N2O
Se depositaron películas de óxido de silicio (SiOx:N) sobre silicio en un horno convencional en ambiente de óxido nitroso(N2O) a temperaturas entre 900 y 1100° C. Para cada temperatura se varió la presión entre 1 y 3 atmósferas. Por medio deFT-IR se muestra que la composición de estas capas es aprox...
Uloženo v:
| Vydáno v: | Superficies y vacío |
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| Hlavní autoři: | , |
| Médium: | Artigo |
| Jazyk: | Espanhol |
| Vydáno: |
Sociedad Mexicana de Ciencia y Tecnología de Superficies y Materiales A.C.
2003
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| Témata: | |
| On-line přístup: | https://www.redalyc.org/articulo.oa?id=94216205 |
| Tagy: |
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