Caracterización por espectroscopía en el infrarrojo de óxidos de silicio depositados en ambiente de N2O
Se depositaron películas de óxido de silicio (SiOx:N) sobre silicio en un horno convencional en ambiente de óxido nitroso(N2O) a temperaturas entre 900 y 1100° C. Para cada temperatura se varió la presión entre 1 y 3 atmósferas. Por medio deFT-IR se muestra que la composición de estas capas es aprox...
محفوظ في:
| الحاوية / القاعدة: | Superficies y vacío |
|---|---|
| المؤلفون الرئيسيون: | , |
| التنسيق: | Artigo |
| اللغة: | Espanhol |
| منشور في: |
Sociedad Mexicana de Ciencia y Tecnología de Superficies y Materiales A.C.
2003
|
| الموضوعات: | |
| الوصول للمادة أونلاين: | https://www.redalyc.org/articulo.oa?id=94216205 |
| الوسوم: |
لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!
|