Caracterización por espectroscopía en el infrarrojo de óxidos de silicio depositados en ambiente de N2O
Se depositaron películas de óxido de silicio (SiOx:N) sobre silicio en un horno convencional en ambiente de óxido nitroso(N2O) a temperaturas entre 900 y 1100° C. Para cada temperatura se varió la presión entre 1 y 3 atmósferas. Por medio deFT-IR se muestra que la composición de estas capas es aprox...
Gorde:
| Argitaratua izan da: | Superficies y vacío |
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| Egile Nagusiak: | , |
| Formatua: | Artigo |
| Hizkuntza: | Espanhol |
| Argitaratua: |
Sociedad Mexicana de Ciencia y Tecnología de Superficies y Materiales A.C.
2003
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| Gaiak: | |
| Sarrera elektronikoa: | https://www.redalyc.org/articulo.oa?id=94216205 |
| Etiketak: |
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