Đang tải...
Studies on Carrier Recombination in GaN/AlN Quantum Dots in Nanowires with a Core–Shell Structure
GaN quantum dots embedded in nanowires have attracted much attention due to their superior optical properties. However, due to the large surface-to-volume ratio of the nanowire, the impacts of surface states are the primary issue responsible for the degradation of internal quantum efficiency (IQE) i...
Đã lưu trong:
| Xuất bản năm: | Nanomaterials (Basel) |
|---|---|
| Những tác giả chính: | , , , , , , , , , , , , |
| Định dạng: | Artigo |
| Ngôn ngữ: | Inglês |
| Được phát hành: |
MDPI
2020
|
| Những chủ đề: | |
| Truy cập trực tuyến: | https://ncbi.nlm.nih.gov/pmc/articles/PMC7699813/ https://ncbi.nlm.nih.gov/pubmed/33233685 https://ncbi.nlm.nih.govhttp://dx.doi.org/10.3390/nano10112299 |
| Các nhãn: |
Thêm thẻ
Không có thẻ, Là người đầu tiên thẻ bản ghi này!
|