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Effect of Chloride Concentration on Copper Deposition in Through Silicon Vias

Bottom-up Cu deposition in metallized through silicon vias (TSV) depends on a co-adsorbed polyether–Cl(−) suppressor layer that selectively breaks down within recessed surface features. This work explores Cu deposition when formation of the suppressor blocking layer is limited by the flux of Cl(−)....

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Detalhes bibliográficos
Publicado no:J Electrochem Soc
Main Authors: Braun, T. M., Josell, D., Silva, M., Kildon, J., Moffat, T. P.
Formato: Artigo
Idioma:Inglês
Publicado em: 2019
Assuntos:
Acesso em linha:https://ncbi.nlm.nih.gov/pmc/articles/PMC7537470/
https://ncbi.nlm.nih.gov/pubmed/33029031
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