লোডিং...
Comparative Study of Negative Capacitance Field-Effect Transistors with Different MOS Capacitances
We demonstrate the negative capacitance (NC) effect of HfZrO(x)-based field-effect transistors (FETs) in the experiments. Improved I(DS), SS, and G(m) of NCFET have been achieved in comparison with control metal oxide semiconductor (MOS) FET. In this experiment, the bottom MIS transistors with diffe...
সংরক্ষণ করুন:
| প্রকাশিত: | Nanoscale Res Lett |
|---|---|
| প্রধান লেখক: | , , , , |
| বিন্যাস: | Artigo |
| ভাষা: | Inglês |
| প্রকাশিত: |
Springer US
2019
|
| বিষয়গুলি: | |
| অনলাইন ব্যবহার করুন: | https://ncbi.nlm.nih.gov/pmc/articles/PMC6534638/ https://ncbi.nlm.nih.gov/pubmed/31127388 https://ncbi.nlm.nih.govhttp://dx.doi.org/10.1186/s11671-019-3013-z |
| ট্যাগগুলো: |
ট্যাগ যুক্ত করুন
কোনো ট্যাগ নেই, প্রথমজন হিসাবে ট্যাগ করুন!
|