Yüklüyor......
ZrO(2) Ferroelectric Field-Effect Transistors Enabled by the Switchable Oxygen Vacancy Dipoles
This paper investigates the impacts of post-rapid thermal anneal (RTA) and thickness of ZrO(2) on the polarization P and electrical characteristics of TaN/ZrO(2)/Ge capacitors and FeFETs, respectively. After the RTA ranging from 350 to 500 °C, TaN/ZrO(2)/Ge capacitors with 2.5 and 4 nm-thick amorpho...
Kaydedildi:
| Yayımlandı: | Nanoscale Res Lett |
|---|---|
| Asıl Yazarlar: | , , , , , , |
| Materyal Türü: | Artigo |
| Dil: | Inglês |
| Baskı/Yayın Bilgisi: |
Springer US
2020
|
| Konular: | |
| Online Erişim: | https://ncbi.nlm.nih.gov/pmc/articles/PMC7246238/ https://ncbi.nlm.nih.gov/pubmed/32449145 https://ncbi.nlm.nih.govhttp://dx.doi.org/10.1186/s11671-020-03353-6 |
| Etiketler: |
Etiketle
Etiket eklenmemiş, İlk siz ekleyin!
|