Загрузка...
ZrO(2) Ferroelectric Field-Effect Transistors Enabled by the Switchable Oxygen Vacancy Dipoles
This paper investigates the impacts of post-rapid thermal anneal (RTA) and thickness of ZrO(2) on the polarization P and electrical characteristics of TaN/ZrO(2)/Ge capacitors and FeFETs, respectively. After the RTA ranging from 350 to 500 °C, TaN/ZrO(2)/Ge capacitors with 2.5 and 4 nm-thick amorpho...
Сохранить в:
| Опубликовано в: : | Nanoscale Res Lett |
|---|---|
| Главные авторы: | , , , , , , |
| Формат: | Artigo |
| Язык: | Inglês |
| Опубликовано: |
Springer US
2020
|
| Предметы: | |
| Online-ссылка: | https://ncbi.nlm.nih.gov/pmc/articles/PMC7246238/ https://ncbi.nlm.nih.gov/pubmed/32449145 https://ncbi.nlm.nih.govhttp://dx.doi.org/10.1186/s11671-020-03353-6 |
| Метки: |
Добавить метку
Нет меток, Требуется 1-ая метка записи!
|