טוען...
Nanocrystal-Embedded-Insulator (NEI) Ferroelectric FETs for Negative Capacitance Device and Non-Volatile Memory Applications
We report a novel nanocrystal-embedded-insulator (NEI) ferroelectric field-effect transistor (FeFET) with very thin unified-ferroelectric/dielectric (FE/DE) insulating layer, which is promising for low-voltage logic and non-volatile memory (NVM) applications. The ferroelectric nature of the NEI laye...
שמור ב:
| הוצא לאור ב: | Nanoscale Res Lett |
|---|---|
| Main Authors: | , , , , , , |
| פורמט: | Artigo |
| שפה: | Inglês |
| יצא לאור: |
Springer US
2019
|
| נושאים: | |
| גישה מקוונת: | https://ncbi.nlm.nih.gov/pmc/articles/PMC6443763/ https://ncbi.nlm.nih.gov/pubmed/30937641 https://ncbi.nlm.nih.govhttp://dx.doi.org/10.1186/s11671-019-2943-9 |
| תגים: |
הוספת תג
אין תגיות, היה/י הראשונ/ה לתייג את הרשומה!
|