লোডিং...
Solution-Processed Gallium–Tin-Based Oxide Semiconductors for Thin-Film Transistors
We investigated the effects of gallium (Ga) and tin (Sn) compositions on the structural and chemical properties of Ga–Sn-mixed (Ga:Sn) oxide films and the electrical properties of Ga:Sn oxide thin-film transistors (TFTs). The thermogravimetric analysis results indicate that solution-processed oxide...
সংরক্ষণ করুন:
| প্রকাশিত: | Materials (Basel) |
|---|---|
| প্রধান লেখক: | , , , , |
| বিন্যাস: | Artigo |
| ভাষা: | Inglês |
| প্রকাশিত: |
MDPI
2017
|
| বিষয়গুলি: | |
| অনলাইন ব্যবহার করুন: | https://ncbi.nlm.nih.gov/pmc/articles/PMC5793544/ https://ncbi.nlm.nih.gov/pubmed/29283408 https://ncbi.nlm.nih.govhttp://dx.doi.org/10.3390/ma11010046 |
| ট্যাগগুলো: |
ট্যাগ যুক্ত করুন
কোনো ট্যাগ নেই, প্রথমজন হিসাবে ট্যাগ করুন!
|