טוען...
Solution-Processed Gallium–Tin-Based Oxide Semiconductors for Thin-Film Transistors
We investigated the effects of gallium (Ga) and tin (Sn) compositions on the structural and chemical properties of Ga–Sn-mixed (Ga:Sn) oxide films and the electrical properties of Ga:Sn oxide thin-film transistors (TFTs). The thermogravimetric analysis results indicate that solution-processed oxide...
שמור ב:
| הוצא לאור ב: | Materials (Basel) |
|---|---|
| Main Authors: | , , , , |
| פורמט: | Artigo |
| שפה: | Inglês |
| יצא לאור: |
MDPI
2017
|
| נושאים: | |
| גישה מקוונת: | https://ncbi.nlm.nih.gov/pmc/articles/PMC5793544/ https://ncbi.nlm.nih.gov/pubmed/29283408 https://ncbi.nlm.nih.govhttp://dx.doi.org/10.3390/ma11010046 |
| תגים: |
הוספת תג
אין תגיות, היה/י הראשונ/ה לתייג את הרשומה!
|