Загрузка...
Quantitative strain analysis of InAs/GaAs quantum dot materials
Geometric phase analysis has been applied to high resolution aberration corrected (scanning) transmission electron microscopy images of InAs/GaAs quantum dot (QD) materials. We show quantitatively how the lattice mismatch induced strain varies on the atomic scale and tetragonally distorts the lattic...
Сохранить в:
| Опубликовано в: : | Sci Rep |
|---|---|
| Главные авторы: | , , , , , , , |
| Формат: | Artigo |
| Язык: | Inglês |
| Опубликовано: |
Nature Publishing Group
2017
|
| Предметы: | |
| Online-ссылка: | https://ncbi.nlm.nih.gov/pmc/articles/PMC5368971/ https://ncbi.nlm.nih.gov/pubmed/28349927 https://ncbi.nlm.nih.govhttp://dx.doi.org/10.1038/srep45376 |
| Метки: |
Добавить метку
Нет меток, Требуется 1-ая метка записи!
|