Lanean...

Corrigendum: Improved Drain Current Saturation and Voltage Gain in Graphene–on–Silicon Field Effect Transistors

Gorde:
Xehetasun bibliografikoak
Argitaratua izan da:Sci Rep
Egile Nagusiak: Song, Seung Min, Bong, Jae Hoon, Hwang, Wan Sik, Cho, Byung Jin
Formatua: Artigo
Hizkuntza:Inglês
Argitaratua: Nature Publishing Group 2016
Gaiak:
Sarrera elektronikoa:https://ncbi.nlm.nih.gov/pmc/articles/PMC4921914/
https://ncbi.nlm.nih.gov/pubmed/27346693
https://ncbi.nlm.nih.govhttp://dx.doi.org/10.1038/srep28412
Etiketak: Etiketa erantsi
Etiketarik gabe, Izan zaitez lehena erregistro honi etiketa jartzen!