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Corrigendum: Improved Drain Current Saturation and Voltage Gain in Graphene–on–Silicon Field Effect Transistors
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| Publicado no: | Sci Rep |
|---|---|
| Main Authors: | , , , |
| Formato: | Artigo |
| Idioma: | Inglês |
| Publicado em: |
Nature Publishing Group
2016
|
| Assuntos: | |
| Acesso em linha: | https://ncbi.nlm.nih.gov/pmc/articles/PMC4921914/ https://ncbi.nlm.nih.gov/pubmed/27346693 https://ncbi.nlm.nih.govhttp://dx.doi.org/10.1038/srep28412 |
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