Nanoscale electro-structural characterisation of ohmic contacts formed on p-type implanted 4H-SiC

This work reports a nanoscale electro-structural characterisation of Ti/Al ohmic contacts formed on p-type Al-implanted silicon carbide (4H-SiC). The morphological and the electrical properties of the Al-implanted layer, annealed at 1700°C with or without a protective capping layer, and of the ohmic...

Mô tả đầy đủ

Đã lưu trong:
Chi tiết về thư mục
Những tác giả chính: Frazzetto, Alessia, Giannazzo, Filippo, Lo Nigro, Raffaella, Di Franco, Salvatore, Bongiorno, Corrado, Saggio, Mario, Zanetti, Edoardo, Raineri, Vito, Roccaforte, Fabrizio
Định dạng: Artigo
Ngôn ngữ:Inglês
Được phát hành: Springer 2011
Những chủ đề:
Nano Review
Truy cập trực tuyến:https://ncbi.nlm.nih.gov/pmc/articles/PMC3211209/
https://ncbi.nlm.nih.gov/pubmed/21711667
https://ncbi.nlm.nih.govhttp://dx.doi.org/10.1186/1556-276X-6-158
Các nhãn: Thêm thẻ
Không có thẻ, Là người đầu tiên thẻ bản ghi này!

Những quyển sách tương tự