Загрузка...
Nanoscale electro-structural characterisation of ohmic contacts formed on p-type implanted 4H-SiC
<p>Abstract</p> <p>This work reports a nanoscale electro-structural characterisation of Ti/Al ohmic contacts formed on p-type Al-implanted silicon carbide (4H-SiC). The morphological and the electrical properties of the Al-implanted layer, annealed at 1700°C with or withou...
Сохранить в:
| Главные авторы: | , , , , , , , , |
|---|---|
| Формат: | Artigo |
| Язык: | Inglês |
| Опубликовано: |
SpringerOpen
2011-01-01
|
| Серии: | Nanoscale Research Letters |
| Online-ссылка: | http://www.nanoscalereslett.com/content/6/1/158 |
| Метки: |
Добавить метку
Нет меток, Требуется 1-ая метка записи!
|