Ładuje się......
Thermal Characterization and Modelling of AlGaN-GaN Multilayer Structures for HEMT Applications
To optimize the thermal design of AlGaN-GaN high-electron-mobility transistors (HEMTs), which incorporate high power densities, an accurate prediction of the underlying thermal transport mechanisms is crucial. Here, a HEMT-structure (Al<sub>0.17</sub>Ga<sub>0.83</sub>N, GaN,...
Zapisane w:
| Główni autorzy: | , , , |
|---|---|
| Format: | Artigo |
| Język: | Inglês |
| Wydane: |
MDPI AG
2020-05-01
|
| Seria: | Energies |
| Hasła przedmiotowe: | |
| Dostęp online: | https://www.mdpi.com/1996-1073/13/9/2363 |
| Etykiety: |
Dodaj etykietę
Nie ma etykietki, Dołącz pierwszą etykiete!
|
Ładuje się......