Strain Balanced AlGaN/GaN/AlGaN nanomembrane HEMTs

Single crystal semiconductor nanomembranes (NM) are important in various applications such as heterogeneous integration and flexible devices. This paper reports the fabrication of AlGaN/GaN NMs and NM high electron mobility transistors (HEMT). Electrochemical etching is used to slice off single-crys...

وصف كامل

محفوظ في:
التفاصيل البيبلوغرافية
الحاوية / القاعدة:Sci Rep
المؤلفون الرئيسيون: Chang, Tzu-Hsuan, Xiong, Kanglin, Park, Sung Hyun, Yuan, Ge, Ma, Zhenqiang, Han, Jung
التنسيق: Artigo
اللغة:Inglês
منشور في: Nature Publishing Group UK 2017
الموضوعات:
Article
الوصول للمادة أونلاين:https://ncbi.nlm.nih.gov/pmc/articles/PMC5527108/
https://ncbi.nlm.nih.gov/pubmed/28743988
https://ncbi.nlm.nih.govhttp://dx.doi.org/10.1038/s41598-017-06957-8
الوسوم: إضافة وسم
لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!

مواد مشابهة