تحميل...
Strain Balanced AlGaN/GaN/AlGaN nanomembrane HEMTs
Single crystal semiconductor nanomembranes (NM) are important in various applications such as heterogeneous integration and flexible devices. This paper reports the fabrication of AlGaN/GaN NMs and NM high electron mobility transistors (HEMT). Electrochemical etching is used to slice off single-crys...
محفوظ في:
| الحاوية / القاعدة: | Sci Rep |
|---|---|
| المؤلفون الرئيسيون: | , , , , , |
| التنسيق: | Artigo |
| اللغة: | Inglês |
| منشور في: |
Nature Publishing Group UK
2017
|
| الموضوعات: | |
| الوصول للمادة أونلاين: | https://ncbi.nlm.nih.gov/pmc/articles/PMC5527108/ https://ncbi.nlm.nih.gov/pubmed/28743988 https://ncbi.nlm.nih.govhttp://dx.doi.org/10.1038/s41598-017-06957-8 |
| الوسوم: |
إضافة وسم
لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!
|