تحميل...
Thermal Characterization and Modelling of AlGaN-GaN Multilayer Structures for HEMT Applications
To optimize the thermal design of AlGaN-GaN high-electron-mobility transistors (HEMTs), which incorporate high power densities, an accurate prediction of the underlying thermal transport mechanisms is crucial. Here, a HEMT-structure (Al<sub>0.17</sub>Ga<sub>0.83</sub>N, GaN,...
محفوظ في:
| المؤلفون الرئيسيون: | , , , |
|---|---|
| التنسيق: | Artigo |
| اللغة: | Inglês |
| منشور في: |
MDPI AG
2020-05-01
|
| سلاسل: | Energies |
| الموضوعات: | |
| الوصول للمادة أونلاين: | https://www.mdpi.com/1996-1073/13/9/2363 |
| الوسوم: |
إضافة وسم
لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!
|