Investigation of ON-State Breakdown Mechanism in AlGaN/GaN HEMTs with AlGaN Back Barrier

The temperature-dependent ON-state breakdown <inline-formula><math xmlns="http://www.w3.org/1998/Math/MathML" display="inline"><semantics><mrow><mi>B</mi><msub><mi>V</mi><mrow><mi>O</mi><mi>N</mi>...

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Detalhes bibliográficos
Main Authors: Yuchen Li, Sen Huang, Xinhua Wang, Qimeng Jiang, Xinyu Liu
Formato: Artigo
Idioma:Inglês
Publicado em: MDPI AG 2022-04-01
Colecção:Electronics
Assuntos:
gallium nitride
HEMT
electric breakdown
ON-state breakdown
Acesso em linha:https://www.mdpi.com/2079-9292/11/9/1331
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