Načítá se...
Thermal Characterization and Modelling of AlGaN-GaN Multilayer Structures for HEMT Applications
To optimize the thermal design of AlGaN-GaN high-electron-mobility transistors (HEMTs), which incorporate high power densities, an accurate prediction of the underlying thermal transport mechanisms is crucial. Here, a HEMT-structure (Al<sub>0.17</sub>Ga<sub>0.83</sub>N, GaN,...
Uloženo v:
| Hlavní autoři: | , , , |
|---|---|
| Médium: | Artigo |
| Jazyk: | Inglês |
| Vydáno: |
MDPI AG
2020-05-01
|
| Edice: | Energies |
| Témata: | |
| On-line přístup: | https://www.mdpi.com/1996-1073/13/9/2363 |
| Tagy: |
Přidat tag
Žádné tagy, Buďte první, kdo otaguje tento záznam!
|