Thermal Characterization and Modelling of AlGaN-GaN Multilayer Structures for HEMT Applications

To optimize the thermal design of AlGaN-GaN high-electron-mobility transistors (HEMTs), which incorporate high power densities, an accurate prediction of the underlying thermal transport mechanisms is crucial. Here, a HEMT-structure (Al<sub>0.17</sub>Ga<sub>0.83</sub>N, GaN,...

תיאור מלא

שמור ב:
מידע ביבליוגרפי
Main Authors: Lisa Mitterhuber, René Hammer, Thomas Dengg, Jürgen Spitaler
פורמט: Artigo
שפה:Inglês
יצא לאור: MDPI AG 2020-05-01
סדרה:Energies
נושאים:
AlGaN-GaN HEMT
TDTR
thermal conductivity
thermal interface resistance
size effect
phonon transport mechanisms
גישה מקוונת:https://www.mdpi.com/1996-1073/13/9/2363
תגים: הוספת תג
אין תגיות, היה/י הראשונ/ה לתייג את הרשומה!

פריטים דומים