Advanced Modeling and Simulation of Multilayer Spin–Transfer Torque Magnetoresistive Random Access Memory with Interface Exchange Coupling

In advancing the study of magnetization dynamics in STT-MRAM devices, we employ the spin drift–diffusion model to address the back-hopping effect. This issue manifests as unwanted switching either in the composite free layer or in the reference layer in synthetic antiferromagnets—a challenge that be...

Mô tả đầy đủ

Chi tiết về thư mục

Những tác giả chính:	Mario Bendra, Roberto Lacerda de Orio, Siegfried Selberherr, Wolfgang Goes, Viktor Sverdlov
Định dạng:	Artigo
Ngôn ngữ:	Inglês
Được phát hành:	MDPI AG 2024-04-01
Loạt:	Micromachines
Những chủ đề:	spintronic devices back-hopping spin–transfer torques interlayer exchange coupling micromagnetics MRAM
Truy cập trực tuyến:	https://www.mdpi.com/2072-666X/15/5/568
Các nhãn:	Thêm thẻ Không có thẻ, Là người đầu tiên thẻ bản ghi này!