Advanced Modeling and Simulation of Multilayer Spin–Transfer Torque Magnetoresistive Random Access Memory with Interface Exchange Coupling

In advancing the study of magnetization dynamics in STT-MRAM devices, we employ the spin drift–diffusion model to address the back-hopping effect. This issue manifests as unwanted switching either in the composite free layer or in the reference layer in synthetic antiferromagnets—a challenge that be...

Πλήρης περιγραφή

Λεπτομέρειες βιβλιογραφικής εγγραφής

Κύριοι συγγραφείς:	Mario Bendra, Roberto Lacerda de Orio, Siegfried Selberherr, Wolfgang Goes, Viktor Sverdlov
Μορφή:	Artigo
Γλώσσα:	Inglês
Έκδοση:	MDPI AG 2024-04-01
Σειρά:	Micromachines
Θέματα:	spintronic devices back-hopping spin–transfer torques interlayer exchange coupling micromagnetics MRAM
Διαθέσιμο Online:	https://www.mdpi.com/2072-666X/15/5/568
Ετικέτες:	Προσθήκη ετικέτας Δεν υπάρχουν, Καταχωρήστε ετικέτα πρώτοι!